的挑战之一tsv是,他们比其他通过和特性。钻井这些婴儿使用深反应离子刻蚀(驱动),我们在我们的讨论微机电系统文章在今年早些时候。博世的过程,特别是,由一系列的腐蚀和清洁步骤,可以把贝壳形侧壁和其他粗糙特性,很难正确填充金属时。

法国公司提供,其重点是化学沉积“nanometric电影”的各种各样的领先技术,已经宣布了一项新的阻挡层,他们说保证100%的一步覆盖率。材料是笔尖,相比之下更传统的棕褐色和锡,,他们声称,倾向于使用主要是因为他们的兼容标准化学和等离子体气相沉积(CVD和PVD)过程。

他们声称笔尖有屏障属性类似于锡和铜,同时扩散特征类似于助教和褐色。但它也允许将随后的铜填充不需要种子层。这些好处是节省的总和的清洁和其他杂项流程步骤,目前要求,降低成本。

他们叫“electrografting”:一般过程沉积一薄层绝缘衬底上使用一个水性的过程,分子从液体有机前驱膜层的成键电子的底物。这些前体作为其余的种子层。

更多的信息在他们的释放…

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