- 最高容量:单个芯片的存储容量可达1tb;多个tb与3D堆叠
- 最低的力量:延长电池寿命至数周，数月或数年
- 最高的性能:写入速度比NAND快20倍
- 最简单的SOC集成:标准逻辑上的简单堆叠CMOS在最先进的节点
- 最可靠的:10倍于NAND的续航时间;接近DRAM可靠性
圣克拉拉，加州，2013年8月5日——今天从隐形模式出现，纵横公司。这家初创公司开创了超高容量和高性能的新类别非易失性内存推出了它的Crossbar电阻式RAM (RRAM)技术．这新一代非易失性存储器能在一个200mm的芯片上存储多达1tb的数据吗2芯片，可以存储和播放海量的信息，如250小时的高清电影，从一个比邮票还小的集成电路。横杆今天也宣布它已经开发出了一个工作横杆存储器阵列在一家商业晶圆厂，新存储技术发展的一个重要里程碑，标志着其准备开始产品化的第一阶段。
由于其简单的三层结构，Crossbar技术可以在3D中堆叠，在单个芯片上提供数tb的存储空间。它的简单性、可堆叠性和CMOS兼容性使逻辑和存储器能够在最新技术节点上轻松集成到单个芯片上，这是其他传统或替代非易失性存储器技术无法实现的功能。
“非易失性存储器今天无处不在，作为存储技术的核心万亿美元的1Crossbar公司的首席执行官George Minassian说:“今天的非易失性存储技术正在失去动力，在向更小的制造工艺扩展时遇到了重大障碍。凭借我们的工作Crossbar阵列，我们已经实现了所有主要的技术里程碑，证明我们的RRAM技术易于制造并准备商业化。这是非易失性存储器行业的一个分水岭。”
Crossbar的技术将提供20倍快的写入性能，20倍低的功耗和10倍的耐用性，与目前同类最佳的一半的芯片尺寸相比快闪记忆体内存。凭借突破性的性能和可靠性，非常高的容量和低功耗，Crossbar将为消费者，企业，移动，工业和连接设备应用带来新一轮的电子创新。
非易失性存储器是最常用的存储技术，用于代码存储(也不)及数据储存(与非)在广泛的电子应用。根据市场调查公司的说法Webfeet研究22016年，美国非易失性存储器市场规模预计将达到484亿美元。Crossbar计划将针对代码和数据存储进行优化的独立芯片解决方案推向市场，以取代传统的NOR和NAND闪存。Crossbar还计划将其技术授权给片上系统(SOC)开发商，以集成到下一代SOC中。
的样本横梁技术应用:
采购产品消费电子产品，移动电话和平板电脑- - - - - -将您所有的个人娱乐、数据、照片和信息存储在一个适合您口袋的设备中。提供非常快的存储，回放，备份和归档。
企业存储、ssd和云计算- - - - - -提高SSD的可靠性和容量。提高企业、数据中心和云存储系统的性能。
物联网;〇产业互联网为工业和连接应用(如智能电表和恒温器)提供多年的电池寿命。较宽的温度范围保证了在夏季极热或冬季极冷的情况下的可靠性。实现全新的、高度集成的soc，可以通过纽扣电池或从太阳能、热量或简单的振动等环境中收集能量来供电。
〇可穿戴式电脑使新一代的可穿戴计算具有非常小，紧凑的尺寸和非常低的功耗高容量存储。
〇安全支付可以永久存储安全应用所需的代码和加密密钥，例如大容量智能卡，以及用于非接触式支付的高端移动处理器。
工作记忆阵列强调简单性;商业化准备就绪
Crossbar存储单元基于三个简单的层:非金属底电极，非晶硅开关介质和金属顶电极。电阻开关机制是基于在两个电极之间施加电压时开关材料中灯丝的形成。这种简单且可扩展的存储单元结构实现了一种全新的RRAM，可以很容易地集成到任何标准CMOS制造工厂的后端生产线中。
在完成了向Crossbar研发工厂的技术转移以及技术分析和优化后，Crossbar现已在商业晶圆厂成功开发了其演示产品。该工作芯片是一个完全集成的单片CMOS控制器和存储阵列芯片。该公司目前正在完成该器件的表征和优化，并计划将其首款产品推向嵌入式SOC市场
支持报价:
“RRAM被广泛认为是下一代存储器的领导者，Crossbar是最先进的公司，展示了一个工作演示，证明了RRAM的可制造性。这是该行业的重大发展，因为它为新存储技术的商业化提供了一条清晰的道路，能够改变未来电子创新的格局。”
“一旦闪存达到其规模极限，存储市场正在寻找新的技术来接管。Crossbar在可制造的ReRAM开发方面取得的令人印象深刻的进展，极大地推动了这种流行的替代存储器的发展。”
“我们今天存储的90%的数据是在过去两年内创建的。数据的创建和即时访问已经成为现代体验中不可或缺的一部分，在可预见的未来，将继续推动存储的急剧增长。然而，目前的存储介质，平面NAND，正面临着挑战，因为它达到了较低的光刻，突破了物理和工程的极限。下一代非易失性存储器，如Crossbar的RRAM，将绕过这些限制，并提供成为替代存储器解决方案所需的性能和容量。”
“几年来，公司一直专注于开发下一代存储器技术，与现有的非易失性存储器相比，该技术将在可靠性、性能、低功耗操作和可扩展性方面取得重大进步。Forward Insights认为，RRAM，包括Crossbar的方法，由于其可扩展性和可制造性，有可能取代NAND闪存。随着工作演示阵列的实现，我们很高兴看到这项技术对从移动和连接设备到存储和数据中心的广泛应用的未来影响。”
“到目前为止，还没有可行的2D或3D NAND替代技术。像Crossbar的RRAM这样的存储器有机会获得这个难以捉摸的NAND替代品，价值400多亿美元。Crossbar的工作RRAM技术阵列显示了重大的商业化进展。如果继续沿着这条轨道发展，他们将以具有成本效益的交叉点多层RRAM引领市场，领先于3D NAND或他们的3D RRAM竞争对手。”
“我们很高兴看到Crossbar实现了一个重要的行业里程碑，并在CMOS生产设施中生产了第一个工作阵列。我们离实现将一种全新的存储器商业化的目标又近了一步，这种存储器使用比传统闪存更简单的单元结构。Artiman很高兴能继续与Crossbar合作，为内存行业带来革命。”
支持资源:
关于Crossbar, Inc.
Crossbar成立于2010年，是一家位于加州圣克拉拉的初创公司，是一种新型非易失性随机存储器技术的发明者。Crossbar旨在开创电子创新的新时代，它将在一个邮票大小的单芯片上提供高达1tb (TB)的存储空间，具有非常低的功耗、非常高的性能和与标准CMOS半导体制造工艺的兼容性。作为密歇根大学电阻性RAM (RRAM)专利的独家持有人，Crossbar已经申请了100项独特专利，其中30项已经发布，涉及RRAM技术的开发，商业化和制造。Crossbar由Artiman Ventures、Kleiner Perkins Caufield & Byers和Northern Light Venture Capital投资。欲了解更多信息，请访问www.crossbar-inc.com或者跟随我们推特@crossbarinc，LinkedIn和谷歌+．
