最近ICCAD版提供了一个有趣的看的一些竞争者将逻辑开关一旦不再我们的标准配置是可行的。把目光放长远一点,FinFETs old-tech在这个时间段。
建议没有离开硅之一:nano-wire硅场效应晶体管。想象你的标准蒙大拿铁丝网:三股线的两个职位。现在想象下雪,一些孩子堆积雪像一堵墙跑两个栅栏的帖子,以便铁丝网之间的链被雪包围。
现在大大减少现场,用纳米硅线代替钢丝氧化物涂层,并取代聚的雪。两端的篱笆帖子源和下水道。现在聚作为门;纳米的线通道(s)。这个配置甚至挣自己的缩写:棉酚,门周围,因为线/通道完全包围了多晶硅栅。
我的好处是,第一,提高在/我从的性能。此外,垂直的能力可以节省空间:在一个标准的逆变器需要一个更大的p沟道比n沟道装置设备,增加使用面积,这个补偿可以做垂直的水平。还可以围绕纳米不同线与不同的盖茨在同一晶体管更复杂的控制。
缺点是较慢的速度比平面晶体管;运行一个双层集装箱可以帮助(当然区域,为代价)。压力也非常有助于提高性能。
当然,每个人都谈论碳纳米管-碳纳米管(或展开同行,石墨烯)在未来有一个角色。我们将讨论的一些问题涉及建筑碳纳米管在一个单独的块。
的一个演示了一个“双极性CNTFET”。具有一个或多个源极和漏极之间的碳纳米管与衬底的后门。“两极”一词指的是它可以处理一个积极或消极的VT根据掺杂的问。
一个配置双栅,盖茨的设置设备之间的极性——切换n型和p型。一个逆变器建立起来的这些行动更像是XOR门是否行使极性门口。好消息是,p型和n型电导是相等的,和掺杂步骤(设置极性单扇版本)并不是双栅中需要配置。
忆阻器场效应晶体管进行了讨论;这些可以用于内存、交换和遥感。他们奇怪的野兽,一种“失踪的装置”,我们将更详细地讨论在未来。
最后,我们看看理论开关——尚未建立。这就是所谓的双分子层pseudospin场效应晶体管,或BiSFET。只有被模拟。这是建立起来的两层石墨烯隔开一个小隧道差距。每个表都有一个门在对面的差距。
数学,类似于电子自旋后,这里的概念是一种激子冷凝物应该在两层之间。这多体的隧穿现象应该打开约25 mV -一个非常低的VT。是否发生以及如何稳定必须证明在现实生活中。即使冷凝物本身不形式,单一水体隧道可能,但VT将从25增加到100 mV和权力将增加10倍。
这种方法的另一个挑战是,你需要一个时钟供电,否则门的输出将坚持它的价值。
越来越多的奇怪的设备当我们越来越深入地研究了量子世界…
