在矽通过(tsv)叠加芯片的关键技术在所谓的3 d(或2.5 d)配置。并有很多谈论如何使用深反应离子刻蚀(冲动)方法得到一个漂亮的深high-aspect-ratio洞然后填补它与金属连接。

但在谈话与硅石MEMS执行国会,他们指出一种不同的方法tsv。,事实证明,这种方法已经在生产了五年,所以并不是什么新发明——但我还没有看到它讨论的主流(也许这只是我)。

这里不同的是,它不是一个通过:金属硅通过。这导致SIL-VIA聪明的名字。

它是基于highly-doped批量硅。作为一个纯粹微机电系统公司,晶片可能互补金属氧化物半导体晶片的特点不同。而不是蚀刻的整个孔金属的支柱,他们腐蚀孔周围的边界(通常圆柱状,但它可以是任何形状)。然后他们生长氧化物这一差距,现在剩下隔离硅内部与外部。

内外硅仍连接,自腐蚀不会在整个晶片。中央核心是“释放”磨掉。现在里面是孤立的部分,可以形成一个½1-Ω通过。这与10 - 20 mΩ更典型的金属通过。

他们宣传的主要好处是通过热匹配周围的散装材料,用金属通过他们说这是一个问题。他们还指出,当然,这已经在生产了好几年;他们声称经验超过50000晶片实现超过100种不同的产品。

有一些更多的信息mid-page页面上他们的技术…

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