传统智慧应该建议以下几点:

• 每一个新的流程节点影响所有层
• 移动为设计师FinFETs将是一个巨大的变化

结果,根据EDA人(导师和节奏,是具体的),这些都不是真的。

16/14的后端(以下简称14因为我懒)——上金属层和20 nm等——将是相同的。事实上,在这个视图中,最简单的方法来描述14纳米节点与FinFETs 20海里的过程而不是平面晶体管。至少实现的人做FinFETs(这是所有明显的大型铸造人)。

如果第二个要点是正确的,那么这意味着很多工作为设计师当从20到14。但此举FinFET应该适度透明——数字设计师。这是因为许多下晶体管本身是抽象层的设计工具。显然EDA工具本身需要大量的工作——尤其是寄生提取已经成为复杂得多,由于复杂的形状,导致一个粗糙的模型。

但是数字设计师在很大程度上是受细胞建筑商(牺牲)。事实上,28 a20-nm过渡可能是困难的,因为这就是double-patterning和当地的互连。那些有更多影响设计师(当然,工具)。

像往常一样,事情没有那么简单的模拟。但他们面临的最大的变化在他们如何工作的量化FinFETs介绍:门“宽度”相当于FinFETs,你不能有一个分数FinFET。(好吧,也许你可以得到一些,但他们将被视为屈服问题。)

• 
• 
• 
• 
•