InGaAs是一种新的神童半导体，在高电子迁移率晶体管(hemt)和光学设计(更多关于a未来的文章)．但是，与其他更奇特的材料一样，它不是硅，因此它不能从硅的经济效益中受益。

问题在于晶格:为了生长单晶无应力InGaAs，你必须使用具有类似晶格的衬底(你可以通过调整铟的数量来调整晶格)。三种可用的III/V衬底是GaAs, InAs和InP，后者更典型。没有一个是硅的。

假设您想要使用InGaAs而不是硅(InGaAs- oi而不是SoI)的半导体-过绝缘体配置。你需要一层薄薄的纯InGaAs，在氧化物处突然停止。你打算怎么做呢?

来自东京大学、JST-CREST和IntelliEPI的一个团队提出了一种只使用硅衬底的晶圆键合方法。与传统SoI晶圆(除了InGaAs外)的主要区别是埋在其中的氧化物(BOX)不是SiO₂；这是阿尔₂O_3.．

该方法从“供体”晶圆开始，在硅上生长inGaAs。但是，由于晶格问题，你不能直接这么做。因此，他们铺设了一层“缓冲”层，以缓解晶格之间的压力，并保持足够低的压力，以允许单晶InGaAs生长:GaAs，其次是InAlAs，顶部是一层InGaAs。

一层氧化铝₂O_3.-然后被放在顶部。是的，你几乎有很多层铟，镓，砷和铝的各种组合。

与此同时，在另一片硅片上，有另一层铝₂O_3.躺下。两个氧化物表面被抛光，然后面对面地进行配对。除了InGaAs外，供体晶圆的所有层都被蚀刻掉了。剩下的是InGaAs的顶层，在BOX边缘突然结束。没有多余的缓冲层了。

结果层中的电子迁移率为1700厘米²/V，表示低缺陷和高质量。

请注意，这里的经济效益不仅来自于硅材料本身，而且还来自于它提供了一个300mm晶圆的结垢路径，这是无法用于更奇特的基板的。

你可以找到他们的报告(在付费墙后面)在这里．

来自加州大学圣地亚哥分校、新加坡南洋理工大学和洛斯阿拉莫斯实验室的一个独立团队也做了一些InGaAs工作，以处理有效的晶圆翻转和键合，并于今年早些时候发表。他们使用NiSi来影响键合。他们的BOX层是SiO₂(与薄HfO₂缓冲到InGaAs层)。但是，关键的是，供体晶圆是InP，而不是硅。

你可以找到完整的报告在这里．

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