沃尔瑟姆,质量。2023年1月11日(环球新闻专线)- 3DGaNTM(氮化镓)创新者Finwave半导体公司今日宣布加入美国半导体创新联盟(ASIC)。ASICFinwave最近扩大了成员范围，包括来自芯片制造供应链各个阶段的代表，Finwave将与其他技术创新者一起提高美国半导体研发的领导地位。
ASIC是一个由160多个组织组成的联盟，正在制定利用CHIPS和科学法案资金的建议，并作为国家半导体技术中心(NSTC)和国家先进封装制造计划(NAPMP)的主要技术驱动力。ASIC支持NSTC和NAPMP的研究、开发、原型设计和制造转移目标，并确保它们得到满足。
Finwave是一家从麻省理工学院剥离出来的高度创新的早期技术公司，拥有多项GaN FinFET技术专利。目前，GaN半导体几乎完全在美国以外生产，Finwave与ASIC一起试图通过努力刺激美国的IC制造来改变这一现状，Finwave支持建设新的晶圆厂，以及现有晶圆厂的扩建，以促进美国半导体的研究，开发和生产。
Finwave屡获殊荣的3DGaN FinFET技术将一流的功率放大效率与大规模制造相结合，以克服阻碍毫米波广泛采用的性能和成本限制。Finwave显著提高了5G毫米波系统的线性度、输出功率和效率，同时大大降低了运营商的成本。通过利用大批量的8英寸硅CMOS晶圆厂生产3DGaN芯片，Finwave的设备受益于硅技术的成本模型和可扩展性。通过加入ASIC日益增长的公司、大学、初创公司和非营利组织成员，Finwave将获得大批量晶圆厂和将公司技术投入量产所需的光刻要求。
Finwave首席执行官陆斌表示:“Finwave很高兴加入ASIC及其成员，共同追求加强美国的技术领先地位，扩大国内半导体生产。”ASIC致力于创建技术中心，并为我们未来的经济繁荣和国家安全发展美国供应链和生产，这与我们提供颠覆性3DGaN FinFET IC技术的目标完全一致。我们技术的持续发展将有助于加强美国的技术供应链和领导地位，增加美国的产量和就业机会。”
ASIC发言人Douglas Grose博士表示:“Finwave是一家经过验证的GaN创新者，公司的投入和专业知识将是帮助提高美国半导体研发在美国的领导地位的关键。”Finwave根植于麻省理工学院和美国东北部，是美国创新的光辉典范，也是支持我们推动美国制造业向前发展的理想成员公司。”
更多信息可以在www.finwavesemi.com．
关于美国半导体创新联盟
美国半导体创新联盟(ASIC)代表了160多家企业、初创公司、大学和非营利组织，致力于为国家半导体技术中心和国家先进封装制造计划带来最好的研究和开发。了解更多关于ASIC及其成员的信息http://asicoalition.org．
关于Finwave半导体公司
Finwave Semiconductor成立于2012年，通过一种新的突破性晶体管，旨在优化氮化镓(GaN)的潜力，塑造未来。Finwave的高级3DGaNTM这项技术是麻省理工学院杰出创新者的发现，他们专注于将GaN的真正潜力应用于关键行业，包括5G、人工智能、云计算、电动汽车和自动驾驶汽车。
Finwave是世界上第一个在Si CMOS晶圆厂加工的8 " GaN绝缘栅极FinFET的创造者。该公司经过验证，屡获殊荣的突破性GaN FinFET技术及其3D鳍状晶体管结构是100多年综合前沿研究的结果。Finwave在马萨诸塞州和加利福尼亚州设有办事处，在世界各地都有合作伙伴。更多信息，请访问www.finwavesemi.com．
