14th2022年12月- Innoscience Technology成立的目的是创建基于高性能、低成本、氮化镓硅(GaN-on- si)电源解决方案的全球能源生态系统，自2019年首次在8英寸晶圆生产线上开始大规模生产以来，已经证明了其支持全球GaN fet大批量需求的能力。GaN功率器件的大幅增加证实了GaN作为未来功率转换和功率分配应用的首选技术的接受程度。
除了显著的销售增长，2022年对Innoscience来说也是不平凡的一年。公司在美国、欧洲和韩国建立了强大的本地销售和营销客户支持团队。与之前设立的台湾，日本销售团队一起，现在公司在所有主要的半导体消费地区提供本地销售和应用支持。
Innoscience首席营销官雷锋博士评论道:在每个地区为客户提供本地销售和应用支持，可以让客户更好地了解我们的技术和解决方案。此外，这有助于我们更好地了解客户未来的需求。我们正在与新的客户设计建立坚实的基础，以使GaN设备的销售呈指数级增长。在2022年期间，Innoscience售出了第1亿台设备，我们相信这是业界的第一次，这代表了一个关键的里程碑，证明了我们GaN设备的质量和可靠性。这种大规模的扩大要归功于我们对高质量、可靠的8英寸晶圆厂的投资。我们在2022年的成功已经证明了我们大批量制造能力的实力。我们的产能计划是可扩展的，以支持行业未来的增长。”
今年，innoscience还推出了几个系列的设备，包括Bi-GaN，这是世界上第一个双向GaN hemt，可用于智能手机内部，以节省空间，提高效率和限制温度上升，以及外部快速充电器。该公司现在提供30-150V和650V的全系列部件，包括低80mΩ RDS(上)650V GaN hemt采用行业标准封装，已在APEC、PCIM和Electronica等领先展会上进行了演示。
Innoscience欧洲区总经理Denis Marcon博士总结道:“这是一个令人兴奋的时刻，成为一家真正使全球范围内的客户在广泛的工业和消费应用中受益于GaN优势的公司的一部分。我们的技术已经得到了验证，我们的GaN HEMTS在量产和定价上都具有成本效益。”
关于Innoscience
Innoscience是一家集成设备制造商(IDM)，成立于2015年12月，由CMBI, ARM, SK和其他知名投资者投资。随着新技术的发展，世界各地的电网和电力电子系统正在经历大规模的变革。我们的愿景是通过高效、低成本的硅氮化镓(GaN-on-Si)电源解决方案创建一个能源生态系统。2017年11月，Innoscience首次在珠海建立了GaN-on-Si器件的量产8英寸晶圆生产线。为了满足快速增长的电力需求，创科科技于2020年9月在苏州开设了一家新工厂。作为领先的GaN技术提供商，Innoscience拥有1400多名员工和300多名研发专家，致力于提供高性能和高可靠性的GaN电源器件，可广泛应用于云计算、电动汽车(EV)和汽车、便携式设备、移动电话、充电器和适配器等各种应用。如需更多信息，请访问www.innoscience.com．
