在今年的ISSCC上，我将通过一个ac偏向麦克风的提议和实现来完善我注意到的最后一件事。这是基于预测，传统直流方法的偏置电阻将进入荒谬的高领域-太兆赫甚至更高。

来自恩智浦和代尔夫特大学的团队列出了这导致的一系列问题。

• MEMS芯片和ASIC之间的连接由于其高阻抗，很容易捕获杂散电噪声，这意味着需要昂贵的包装来屏蔽该节点。
• 创造一个这样大小的聚电阻将是巨大的;取而代之的是，使用偏压低于其开启电压的有源器件。但是来自邻近ESD结构的泄漏电流可以通过这些结构，最终的结果是增加噪声。
• 他们说，斩波不能用来减少闪烁噪声，因为开关会导致额外的输入电流;相反，需要增加晶体管的尺寸。
• 片上偏置发生器通常是电荷泵，纹波噪声可以推动用作电阻的关闭有源器件略微打开;因此，需要大的过滤帽。

他们的方法是差分的，他们在调制信号的同时使用交叉耦合帽抵消载波;事实上，有三个盖子，必须调整以匹配麦克风传感盖子，他们每个都有一个11位寄存器。

关键是，反馈电阻用于设置共模偏置电平;事实上，由于调制，它们对带内噪声的贡献现在很低，这意味着电阻值可以降低到远低于十亿欧姆。

虽然您可能期望复杂性的增加会使ASIC更大，但事实上恰恰相反(可能是由于更小的组件):ASIC的尺寸是当前技术水平的1/12。昂贵的屏蔽也不再需要拒绝外部噪音。

他们并没有被他们所达到的信噪比所淹没，在58/60 db范围内，但他们评论说，只要有一定的专注力，他们可以轻松达到64/65 db的水平。

对于那些了解程序的人，你们可以在22.2部分了解更多细节。

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