让我们面对现实吧:我们对SRAM上瘾了。它很大，耗电很大，但速度很快。无论我们如何抱怨，我们仍然在使用它。因为我们还没有更好的主流产品。

我们已经看过了改进传统SRAM的尝试．我们已经研究了完全不同的内存技术，它们可能会取代SRAM，比如RRAM(首先是RRAM)五年多以前,然后去年-我们仍在努力中)和MRAM．几年前，我们研究了一个尝试新的SRAM技术脱离了传统的晶体管-明确一点，只有一个这样的晶体管(而不是六个)，加上一个可能的选择晶体管。

这家公司就是芝诺，他们甚至利用了这个想法一种提供更大动力的方法在晶体管中——这可能意味着人们可以更长时间地使用旧技术。但是，在记忆的故事中，至少有一个未知的——当然，一个“我们认为是这样的”，但没有证据。

事情是这样的:最初的技术在28纳米平面技术上得到了验证。它能被利用到更激进的节点上吗——那些有finfet的节点?虽然芝诺认为这应该可行，但他们还没有进行实验来证明这一点。

事实证明，还有另一个恼人的问题——一个小细节可能会破坏一个伟大的新想法。该技术最初是在晶体管下面埋入一个N-well。这不是-现在也不是-标准CMOS流程的一部分。是的，随着时间的推移改变心流是可能的，但这是非常困难的，而且最好能从中得到很好的回报。一个1T的SRAM单元足够激发这个吗?也许吧，但是另一个要问的问题——也是芝诺问的问题——是，“对流的修改真的有必要吗?”如果我们忽略了N会发生什么。它还能用吗?”

在今年的IEDM上，他们回来报告关于这两个问题，在他们的讨论和论文中。这两个问题的答案是:是的。

下图显示了14nm的布局，左边是6T的传统SRAM，右边是1T的SRAM。

(图片由IEDM/Zeno提供)

他们还展示了14纳米的“轮廓”，与原来的28纳米平面版本相比。请注意FinFET的使用和右侧底层n阱的缺失。这个最新的再现使用标准的铸造CMOS工艺。

(图片由IEDM/Zeno提供)

他们展示的数据显示了双稳元素在重复读取数据时的稳定性，表明它一直存在——而且读取操作并不是破坏性的。

(图片由IEDM/Zeno提供)

他们在论文中详细介绍了阅读和写作的结果。如果你有机会接触IEDM程序，请寻找，”14纳米FinFET技术用于高密度/高性能嵌入式应用的双稳定1- /2晶体管SRAM。”

更多信息:

芝诺

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